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      LDMOS
          發布時間: 2019-05-21 15:22    

            公司研制的抗輻射LDMOS是一款柵源電壓為5V的增強型MOSFETs,與硅MOSFET相比,本公司的LDMOS具有更低的漏源電阻和更高的開關速度。本公司的LDMOS門限電壓大約是1V,比高壓硅MOSFET的3.5V要低得多。同時LDMOSFETS相對于VDMOSFETS最顯著特性是采用MOS工藝抗輻射設計,從設計手段提高FETS抗單粒子能力,并依靠成熟工藝保證抗單粒子翻轉、鎖定能力滿足宇航需求,并且電性能指標明顯優于VDMOSFETS。

      主要特點

      ·抗輻射特性

      ·總劑量:100 krad (Si)

      ·單粒子: 85 MeV-cm2/mg

      ·工作溫度范圍:

      ·-55 ~ 125

      ·200V VDS

      · RDS_ON  60m?

      ·10A 漏極電流

      · QG

      · QRR

      ·高效率

      ·4x5.5mm

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